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Atelier sur la préparation des substrats pour l'épitaxie

22-24 mai 2018, Villeneuve d'Ascq (IEMN) 

Programme

mardi 22 mai 2018

Heures événement  
14:00 - 17:30 Session: Préparation de surface pour l’intégration hétérogène  
14:00 - 15:30 La préparation du Silicium pour l'hétéroépitaxie - Charles Cornet (INSA Rennes)  
15:30 - 16:00 Pause café  
16:00 - 17:30 La préparation des substrats SOI pour l'intégration hétérogène - Christophe Figuet (SOITEC)  

mercredi 23 mai 2018

Heures événement  
09:00 - 12:30 Session: Structuration des substrats par gravure  
09:00 - 10:30 La préparation des substrats de Si pour la croissance de nanostructures SiGe - Luc Favre (IM2NP)  
10:30 - 11:00 Pause café  
11:00 - 12:30 La préparation des substrats III-V pour la reprise d’épitaxie - Chantal Fontaine (LAAS) & Laurent Cerutti (IES)  
12:30 - 14:00 Déjeuner  
14:00 - 15:30 Session: L'épitaxie sélective III-Nitrures  
14:00 - 15:30 Croissance sélective de matériaux nitrures : technologies et applications aux structures émissives - Guy Feuillet (CEA-LETI)  
15:30 - 16:00 Pause café  
16:00 - 18:30 Session: Posters  
20:00 - 23:00 Dîner  

jeudi 24 mai 2018

Heures événement  
09:00 - 12:30 Session: Croissance VLS et croissance sélective de matériaux III-V  
09:00 - 10:30 Préparation des substrats pour la croissance VLS de nanofils - Sébastien Plissard (LAAS)  
10:30 - 11:00 Pause café  
11:00 - 12:30 Préparation des substrats pour la croissance sélective de nanostructures III-V - Ludovic Desplanque (IEMN)  
12:30 - 14:00 Déjeuner  
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