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mardi 22 mai 2018
| Heures | événement | |
| 14:00 - 17:30 | Session: Préparation de surface pour l’intégration hétérogène | |
| 14:00 - 15:30 | La préparation du Silicium pour l'hétéroépitaxie - Charles Cornet (INSA Rennes) | |
| 15:30 - 16:00 | Pause café | |
| 16:00 - 17:30 | La préparation des substrats SOI pour l'intégration hétérogène - Christophe Figuet (SOITEC) |
mercredi 23 mai 2018
| Heures | événement | |
| 09:00 - 12:30 | Session: Structuration des substrats par gravure | |
| 09:00 - 10:30 | La préparation des substrats de Si pour la croissance de nanostructures SiGe - Luc Favre (IM2NP) | |
| 10:30 - 11:00 | Pause café | |
| 11:00 - 12:30 | La préparation des substrats III-V pour la reprise d’épitaxie - Chantal Fontaine (LAAS) & Laurent Cerutti (IES) | |
| 12:30 - 14:00 | Déjeuner | |
| 14:00 - 15:30 | Session: L'épitaxie sélective III-Nitrures | |
| 14:00 - 15:30 | Croissance sélective de matériaux nitrures : technologies et applications aux structures émissives - Guy Feuillet (CEA-LETI) | |
| 15:30 - 16:00 | Pause café | |
| 16:00 - 18:30 | Session: Posters | |
| 20:00 - 23:00 | Dîner |
jeudi 24 mai 2018
| Heures | événement | |
| 09:00 - 12:30 | Session: Croissance VLS et croissance sélective de matériaux III-V | |
| 09:00 - 10:30 | Préparation des substrats pour la croissance VLS de nanofils - Sébastien Plissard (LAAS) | |
| 10:30 - 11:00 | Pause café | |
| 11:00 - 12:30 | Préparation des substrats pour la croissance sélective de nanostructures III-V - Ludovic Desplanque (IEMN) | |
| 12:30 - 14:00 | Déjeuner |
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