Programme

Semaine Mar. 22 Mer. 23 Jeu. 24 Liste

	Mar. 22	Mer. 23	Jeu. 24
09:00 10:00 11:00 12:00 13:00 14:00 15:00 16:00 17:00 18:00 19:00 20:00 21:00 22:00 23:00	Session: Préparation de surface pour l’intégration hétérogène La préparation du Silicium pour l'hétéroépitaxie Pause café La préparation des substrats SOI pour l'intégration hétérogène 14:00 - 17:30 (3h30) Session: Préparation de surface pour l’intégration hétérogène 14:00 - 15:30 (1h30) La préparation du Silicium pour l'hétéroépitaxie Charles Cornet (INSA Rennes) 15:30 - 16:00 (30min) Pause café 16:00 - 17:30 (1h30) La préparation des substrats SOI pour l'intégration hétérogène Christophe Figuet (SOITEC)	Session: Structuration des substrats par gravure La préparation des substrats de Si pour la croissance de nanostructures SiGe Pause café La préparation des substrats III-V pour la reprise d’épitaxie 9:00 - 12:30 (3h30) Session: Structuration des substrats par gravure 9:00 - 10:30 (1h30) La préparation des substrats de Si pour la croissance de nanostructures SiGe Luc Favre (IM2NP) 10:30 - 11:00 (30min) Pause café 11:00 - 12:30 (1h30) La préparation des substrats III-V pour la reprise d’épitaxie Chantal Fontaine (LAAS) & Laurent Cerutti (IES) Déjeuner 12:30 - 14:00 (1h30) Déjeuner Session: L'épitaxie sélective III-Nitrures Croissance sélective de matériaux nitrures : technologies et applications aux structures émissives 14:00 - 15:30 (1h30) Session: L'épitaxie sélective III-Nitrures 14:00 - 15:30 (1h30) Croissance sélective de matériaux nitrures : technologies et applications aux structures émissives Guy Feuillet (CEA-LETI) Pause café 15:30 - 16:00 (30min) Pause café Session: Posters 16:00 - 18:30 (2h30) Session: Posters Dîner 20:00 - 23:00 (3h) Dîner	Session: Croissance VLS et croissance sélective de matériaux III-V Préparation des substrats pour la croissance VLS de nanofils Pause café Préparation des substrats pour la croissance sélective de nanostructures III-V 9:00 - 12:30 (3h30) Session: Croissance VLS et croissance sélective de matériaux III-V 9:00 - 10:30 (1h30) Préparation des substrats pour la croissance VLS de nanofils Sébastien Plissard (LAAS) 10:30 - 11:00 (30min) Pause café 11:00 - 12:30 (1h30) Préparation des substrats pour la croissance sélective de nanostructures III-V Ludovic Desplanque (IEMN) Déjeuner 12:30 - 14:00 (1h30) Déjeuner

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