La préparation des substrats (nettoyage, rugosité de surface, désoxydation, structuration, etc…) est une étape importante pour la qualité des couches semiconductrices épitaxiées. Elle est devenue cruciale alors que les recherches actuelles s’orientent vers des sujets tels que l’hétéroépitaxie sur Silicium, l’épitaxie latérale ou celle de nanostructures (par croissance sélective avec masque diélectrique, par gravure de la surface du substrat ou par dépôt de nanoparticules métalliques permettant la croissance catalysée de nanofils). Durant cet atelier du GDR PULSE, ces différentes thématiques seront abordées afin d’échanger à partir des présentations invitées sur nos différentes méthodes de préparation et sur les moyens les plus adéquats pour les caractériser.